版上有無ALD (Atomic Layer Deposition)的專家??
如果有哪位大大有這方面的相關經驗,麻煩請告知(或私訊),我將會與您連絡..
需要您的一些寶貴建議與看法~~ ~~ 跪求....

我只知道這些設備都很貴......而且有些物料................很毒

suptter不知道能不能幫的上忙 (微笑)

湯姆熊 寫到:

suptter不知道能不能幫的上忙 (微笑)

不太一樣喔~~

URI: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/handle/987654321/29040
來源連結: http://thesis.nthu.edu.tw/cgi-bin/gs/hugsweb.cgi?o=dnthucdr&i=sGH029631568.id
顯示於系所: [材料科學工程學系] 博碩士論文

High K 製程？! 是做記憶體的還是單純在passivation後面再加掛電容？

是半導體用的雷射嗎??

ALD process ...

address on diffusion FEOL or HK-MG or barrier seed ?

musicmiracle77 寫到:

是半導體用的雷射嗎??

不是喔~~是一種真空鍍膜喔~~

cychoud 寫到:

ALD process ... address on diffusion FEOL or HK-MG or barrier seed ?

我是做MEMS喔~~

MEMS顧名思義，是要有會活動的結構(註﹕有些名稱上叫做MEMS，但是其實沒有活動部份的就不提了，例如印表機的噴墨頭、生物醫學上的微流板等) 。例如陀螺儀、壓力計、RF切換器、麥克風等，分別有不同的機構部份，接受重力、壓力、電磁波、聲波等的引動，產生電子信號。
要在半導體，多半是矽晶圓上製造出這些微小的活動結構，一般半導體製程、儀器是無法輕易達成的。今日MEMS晶圓廠，多半有DRIE(deep reactive ion etching)的設備，用深層的離子蝕刻的方式，創造出類似下圖的浮懸活動構造。

MEMS和一般IC製程還有一個不同之處，就是那麼細小的活動結構，想當然非常脆弱，需要隔絕灰塵、水氣等，避免妨礙機構活動。所以MEMS晶圓大部份都會將這些結構加蓋(capping)密封在一個小空間中，有些高精密的元件，甚至需要裏面抽真空或灌惰性氣體。這也是IC製程不會有的。

CMOS製程比較適合晶圓廠採用沒錯，但是它在微機械結構的厚度、層數、幾何構造、材料選擇上，目前的技術還是有限制，所以僅有台積電等少數一般晶圓廠有能力製作某些MEMS元件。專門的MEMS晶圓廠，還是以DRIE，或是結合DRIE和CMOS的製程為主。

突然覺得日德版,好有學術氣息~~

真的是臥虎藏龍阿........

跟在台3上面跑?反差好大

煌仔 寫到:

真的是臥虎藏龍阿........ 跟在台3上面跑?反差好大

是啊~~是啊~~原來大家都這麼有素質,這麼有文化呀~~

what problem with you?...

film property, uniformity or chamber leakage?